Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY;
GaN; MOS Channel-HEMTs; isolation;
机译:使用选择性Epi去除的GaN中单片集成LED和MOS沟道HEMT的高温特性
机译:低开启电压AlGaN / GaN横向场效应整流器与P-GaN门HEMT技术兼容
机译:高性能反向阻挡P-GaN HEMTS,嵌入式肖特基和P-GaN隔离块排水管
机译:GaN横向MOS通道HEMTS的隔离方法
机译:高压氮化镓mos沟道hemts。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模,在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷