Department of Applied Physics, Electronics Communication Engineering, Faculty of Engineering Technology, University of Dhaka, Bangladesh;
机译:Trigate和Omega-Gate纳米线FET减小至10nm宽度的应变诱导性能增强
机译:具有10nm宽度尺度的栅极 - 全围多通道多通硅纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线纳米线横向依赖性的宽度依赖性
机译:使用极性控制的硅纳米线全能FET的可配置逻辑门
机译:10NM纳米线FET的缩放电位,用于增强闸门控制
机译:具有低接触电阻和改进的栅极控制的晶片尺度制造和表征凹槽PTSE2 MOSFET
机译:共面栅极ZnO纳米线场发射极阵列使用环形阴极具有增强的栅极控制性能
机译:可配置逻辑门使用极性控制的硅纳米线门 - 全面FET