Solid-State Electronics Department, Center for Nanointegration, University of Duisburg Essen, Lotharstr. 55, D-47057, Germany;
Indium phosphide; Rectifiers; Resonant tunneling devices; Triple barrier RTD;
机译:使用Ni-InP肖特基势垒二极管测量亚兆赫兹InP基谐振隧道二极管振荡器的振荡频率和谱线宽
机译:基于双藻类屏障的谐振隧道二极管电子性能的理论研究
机译:基于AlGaN / GaN异质结构的三势垒隧穿二极管的理论建模
机译:基于三屏障谐振隧穿二极管的敏感高频包络探测器
机译:砷化铝/砷化镓三势垒共振隧穿二极管中的光诱导开关,隧穿和弛豫过程。
机译:Si上基于GaAs的谐振隧穿二极管(RTD)外延用于高度敏感的应变仪应用
机译:三势垒谐振隧道二极管的散粒噪声特性