机译:基于纳米FinFET的SRAM单元设计:性能指标,工艺变化,重叠的FinFET和温度效应的分析
机译:使用块状CMOS和FinFET的8T低压低泄漏半选择无干扰SRAM
机译:基于工艺变化容忍Finfin的32 nm技术的低功耗SRAM单元设计
机译:纳米级散装CMOS和FINFET SRAM的变异耐受性CLSA
机译:低成本常规结构的同时优化和纳米级SRAM的耐变化电路技术。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:准确模拟基于纳米级FinFET的sRam单元稳定性的工艺和统计可变性之间的相互作用