用于FinFET SRAM阵列集成电路的方法和装置

摘要

用于在单个集成电路上提供单个FinFET和多个FinFET？SRAM阵列的方法和装置。描述了多个第一位单元的第一单端口SRAM阵列，每个第一位单元都具有Y间距Y1和X间距X1，X1与Y1的比率大于或等于2，每个位单元都进一步具有单鳍FinFET晶体管以形成6T？SRAM单元，并且单元CVdd电源连接至第一电压控制电路；以及多个第二位单元的第二单端口SRAM阵列，每个第二位单元都具有Y间距Y2和X间距X2，X2与Y2的比率大于或等于3，多个第二位单元的每一个都包括具有多鳍FinFET晶体管的6T？SRAM单元，其中，X2与X1的比率大于约1.1。