一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法

摘要

本发明提供了一种应用于FinFET工艺中的集成电路芯片的静电保护装置及其制备方法，包括半导体基底、N型阱区、P型阱区、阳极P型重掺杂鳍片区、阳极N型重掺杂鳍片区、肖特基轻掺杂鳍片区、金属、阴极P型重掺杂鳍片区、阴极N型重掺杂鳍片区和鳍片隔离结构，所述N型阱区和P型阱区位于所述半导体基底内，所述阳极P型重掺杂鳍片区、N型阱区和P型阱区构成寄生的PNP结构BJT，所述N型阱区、P型阱区和阴极N型重掺杂鳍片区构成寄生的NPN结构BJT，所述PNP结构BJT和所述NPN结构BJT结构相互嵌入构成鳍栅结构可控硅，所述肖特基轻掺杂鳍片区和金属形成肖特基势垒，构成肖特基二极管，所述肖特基二极管作为所述鳍栅结构可控硅的触发机构，可有效地降低静电防护装置的开启电压。