EV Group DI E. Thallner Str. 1, 4782 - St. Florian/Inn, Austria;
机译:使用低温晶圆键合的直接Al-Al接触以集成MEMS和CMOS器件
机译:低温晶圆键合中晶圆级键合强度均匀性的动态研究
机译:抗氧化,CMOS兼容的铜基合金超薄膜,是通过晶圆热压键合实现150°C的Cu-Cu晶圆的优异钝化机理
机译:CMOS晶片的低温晶片键合
机译:通过低温芯片对晶圆键合将铟镓砷MSM阵列与硅平台进行3D集成。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:使用耐温聚合物的永久晶片粘合和临时晶片粘接/去粘合技术