School of VLSI Technology, Bengal Engineering and Science University, Howrah, India;
Band to band tunneling; SOI-TFET; Sub-threshold Swing; TCAD;
机译:单栅绝缘体上硅(SOI)隧道场效应晶体管(Tfets)的分析模型
机译:纳米级单层完全耗尽型绝缘体上应变MOSFET的简单分析阈值电压模型
机译:适用于完全耗尽的短通道绝缘体上硅MOSFET的简单2D分析阈值电压模型
机译:绝缘子隧道FET中硅简单分析模型
机译:部分耗尽的绝缘体上的分析模型 - 绝缘体MOSFET
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:绝缘子(SOI)隧道FET上双材料栅极(DMG)硅的性能分析