National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yu-Tian Road, 200083, China;
机译:砷掺杂生长的HgCdTe缺陷的第一性原理研究
机译:V_(Hg)掺入砷的HgCdTe中的模型:第一性原理计算
机译:砷掺杂的HgCdTe中载流子补偿的来源
机译:HGCDTE中不同砷掺杂源的缺陷分布的第一原理研究
机译:hgcdte mbe缺陷概述和缺陷大小分析。
机译:掺杂O的纯净和硫空缺缺陷单层WS2的电子性质:第一性原理研究
机译:硅晶体砷缺陷X射线光电子谱的核心水平移位:一项研究