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【24h】

Electron spectrum of δ-doped quantum wells by Thomas — Fermi method at finite temperatures

机译:有限温度下通过Thomas-Fermi方法对δ掺杂量子阱的电子光谱

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摘要

Electron spectrum of δ-doped quantum well in n-GaAs is investigated by means of Thomas — Fermi (TF) method at finite temperatures. This method shows fast convergence and good accuracy. At 2D doping 1013…2×1013 cm−2, the simplest TF method (T = 0) can be used up till the temperatures T ≤200 K.
机译:通过有限温度下的Thomas-Fermi(TF)方法研究了n-GaAs中δ掺杂量子阱的电子光谱。该方法收敛速度快,精度高。在2D掺杂10 13 …2×10 13 cm −2 时,可以使用最简单的TF方法(T = 0)直到温度T≤200K。

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