PLD法によるCrSi_2薄膜の作製と熱電特性

机译：PLD法制备CrSi_2薄膜及其热电性能

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CrSi_2は高い出力因子PFを有するため熱電材料として有望な材料であるが，これまでバルク材料の研究と比較して，薄膜の場合についての研究は，スパッタ法で行われた数例しかない.本研究では，PLD法を用いた薄膜CrSi_2の合成手法の確立と，その熱電特性を調ベることで薄膜CrSi_2熱電材料の基礎データを得ることを目指した.

机译：CrSi_2由于具有高功率因数PF而作为热电材料是很有前途的材料，但是与块状材料的研究相比，仅通过溅射法进行了薄膜的研究。在这项研究中，我们旨在通过建立采用PLD方法的薄膜CrSi_2的合成方法并调整热电性能来获得薄膜CrSi_2热电材料的基本数据。

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来源
《第15回日本熱電学会学術講演会》|2018年|138-138|共1页
会议地点
作者
安里祐輝; 髙松智寿; 飯島喜彦; 林慶; 宮﨑讓;
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作者单位

東北大学大学院工学研究科;

宮城県仙台巿青葉区荒卷字青葉6-6-05;

東北大学大学院工学研究科;

宮城県仙台巿青葉区荒卷字青葉6-6-05;

株式会社リコーリコー未来技術研究所;

神奈川県海老名巿泉2-7-1;

東北大学大学院工学研究科;

宮城県仙台巿青葉区荒卷字青葉6-6-05;

東北大学大学院工学研究科;

宮城県仙台巿青葉区荒卷字青葉6-6-05;

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