RD Group, Wacker NSCE Corporation, 3434 Shimata, Hikari, Yamaguchi 743-0063, Japan;
carbon; crystal defect; czochralski; epitaxial layer; nitrogen; silicon; transmission electron microscopy;
机译:掺氮衬底上外延层晶体缺陷的研究及其抑制方法
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅰ)―晶体结构的研究―
机译:氮掺杂基材外延层中晶体缺陷的研究及其抑制方法
机译:研究碳化硅的外延层和块状晶体的生长过程和缺陷形成。
机译:Fe-Al-C碳化物相纳米层研究作为外延金刚石生长的基质
机译:基材表面缺陷和TE掺杂剂浓度对藻类外延层晶体质量和电特性的影响