机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅰ)―晶体结构的研究―
R&D Group, Wacker NSCE Corporation, 3434 Shimata, Hikari, Yamaguchi 743-0063, Japan;
czochralski; silicon; nitrogen; epitaxial layer; crystal defect; transmission electron microscopy; laser microscopy;
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:掺氮衬底上外延层晶体缺陷的研究及其抑制方法
机译:不同生长速率下沉积的4H碳化硅同质外延层的晶体学缺陷和表面粗糙度的形貌和反射法研究
机译:氮掺杂基材外延层中晶体缺陷的研究及其抑制方法
机译:4H碳化硅散装晶体,外延层和功率装置的缺陷结构分析
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:基于硅外延层和装置结构的缺陷生产和应变状态的综合研究