STI倾角对器件沟道应力和性能的影响

摘要

器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性能。使用了TCAD仿真工具在90nm，45nm、32nm技术节点下，研究了STI侧墙倾角(α)对PMOS器件沟道区的应力和器件性能产生的影响。结果表明：当STI侧墙倾角(α)从60°线性增大到120°时，PMOS器件沟道区的应力、饱和漏极电流Ids和器件的跨导gm都得到了相应的提升，同时，器件的开关电流Ion-Ioff没有降低.对深入分析STT应力引入机理和优化应变PMOS器件的性能提供了一定的参考.