双面同时静电封接工艺在硅电容传感器中的应用

摘要

硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性，常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常＜10μ m)极板间的粘连，导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法，并对封接相关参数进行了分析，确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题义简化了工艺步骤，适合现阶段大规模生产的需求。