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6500V FS-IGBT的栅电容设计与特性分析

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本文利用仿真软件对6500V FS-IGBT的传统结构和T型栅结构进行了电特性仿真,通过对器件静态和动态特性的研究发现:T型栅结构随着薄氧化层L1的增大,器件的正向压降增大,器件的关断延迟时间降低,采用合适的L1值,得到了优化的T型栅结构.

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来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》|2012年|23-27|共5页
会议地点成都
作者
Shan yadong; 单亚东; Song xunyi; 宋洵奕; Zou youbiao; 邹有彪; Song wenlong; 宋文龙; Li zehong; 李泽宏; Zhang jinping; 张金平;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
绝缘栅双极晶体管; 栅电容; 击穿电压; 优化设计; 仿真分析;
入库时间 2022-08-17 11:06:43

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