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王肖磊; 张恒; 吴自力; 张雄; 崔一平;
江苏省照明学会江苏省照明电器协会;
半导体材料; 氮化物薄膜; 外延生长; 氮化时间; 晶体质量;
机译:蓝宝石衬底上通过MOCVD生长的N极性AlGaN / GaN MIS-HEMT的射频性能
机译:减压MOCVD法生长非极性氮化镓膜及其特性
机译:非极性a面AlGaN外延层生长中双氮化工艺的研究
机译:MOCVD生长和非极性和半极性氮化镓基绿色激光二极管的表征
机译:分子极性在分子热传递中的作用氮化硼-有机分子复合材料
机译:N极性III-氮化物:MOCVD生长,特征和器件
机译:alGaN UV LED的mOCVD生长
机译:伴随生长的高质量非极性特性III族氮化物光学器件(MOCVD)的有机金属化学气相生长方法
机译:由于有机金属化学气相生长法(MOCVD)而具有均匀的非极性特性{1100} m表面氮化镓的生长方法和装置
机译:借助金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长平面非极性(1-100)m平面氮化镓
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