減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性

摘要

減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GdN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中温度バッファー層を挿入した三段階成長プロセスを用いて結晶性、配向性をそして発光特性に優れた特性を有するGaN結晶膜の成長条件をしらべた。同じ方法で成長したc面サファイア基板上への極性GaNの特性と比較し、極性面による特性の違いについても考察した。