硅纳米草阴极场发射特性的研究

摘要

利用深干法刻蚀工艺制作出硅纳米草场发射阴极。研究了刻蚀气体SF8和钝化气体C4F8的流量对硅纳米草形态的影响，发现在刻蚀气体SF6的流量固定不变的条件下，改变钝化气体C4F8的流量参数可以形成不同形貌的硅纳米草、硅纳米墙结构，且硅纳米草的高度和密度有所变化。利用了光刻，刻蚀等IC 工艺制作出类似像素点阵列的硅纳米草场发射阴极结构，得到的最大发射电流为200μA，电流电压的特性曲线近似呈场发射理论中的Fowler-Nordheim分布，该测试结果证明了发射电流来自于硅纳米草尖端 的场致电子效应。