X波段GaN MMIC的研究

摘要

本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数据利用ICCAP建立了器件的大信号模型。利用ADS软件仿真优化了GaN MMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1GHz～10.1GHz时连续波输出功率大于10w,最高输出功率大于11W,带内增益大于12dB,脉冲测试输出功率达到16W。