公开/公告号CN211959167U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-11-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中电科西北集团有限公司;
申请/专利号CN202020736553.4
申请日2020-05-07
分类号H03F1/30(20060101);H03F3/20(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人侯芳;郭永丽
地址 710068 陕西省西安市白沙路1号白沙商务楼
入库时间 2022-08-22 18:04:13
机译: 制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译: 表观生长的基质,制造基于GaN的半导体膜的过程,基于GaN的半导体膜,制造基于GaN的半导体发光元件和基于GaN的半导体发光元件的过程
机译: X波段GAN放大器的低温烧结陶瓷基体。