基于GaN芯片的星载K波段固态功放研制

摘要

cqvip:根据星载固放工作环境特点以及对固放高可靠性要求,本文介绍了一种K波段星载固放,其内部提出了一款良好散热、保证气密的GaN功率芯片封装模块用于功率合成。该GaN功率模块使用金刚石铜作为衬底底部和可伐材料拼接,能够满足气密性和散热需求,同时内部集成了宽带脊波导到同轴转接,易进行空间功率合成。实测气密性优于1×10-1Pa·cm3/s,满足可靠性和工程应用需求。经过测试,整个固态单机的输出功率大于15W,额定输出下效率21.5%。