Optical Modeling, MOCVD Growth, and Development of Novel Fabrication Technologies for Semi-polar (20-21) GaN Flip-chip Edge Emitting Lasers Structures

著录项

• 作者

  Saud Abbas, Arwa.;

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• 作者单位

  University of California Santa Barbara.;

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• 授予单位 University of California Santa Barbara.;
• 学科
• 学位 Ph.D.
• 年度 2020
• 页码 102 p.
• 总页数 102
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 AAI27740864;
• 关键词

  Flip-chip laser diodes; Semi-polar (20-21) GaN; MOCVD growth; Optical modeling; PEC etching; Relaxed sacrificial layer single quantum well (RSL-SQW);

  机译：倒装芯片激光二极管;半极（20-21）GaN;MOCVD增长;光学建模;PEC蚀刻;轻松的牺牲层单量子阱（RSL-SQW）;