一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法

摘要

本发明涉及一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型光限制层、n型波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN光限制层和表面欧姆接触层，n型光限制层内设有位错折断层，位错折断层为Al_xGa_1‑xN与Si₃N₄的超晶格结构，0＜x≤0.6。本发明插入位错折断层，可以实现将GaN基激光器结构生长中所产生的穿透位错折断，从而降低延伸至发光层中的穿透位错密度，从而改善和提高GaN基激光器的性能和使用寿命。