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张志国; 冯震; 武继宾; 王勇; 蔡树军; 杨克武;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室,石家庄051051;
西安电子科技大学微电子学院,西安710071;
GaN; 微波单片集成电路; 大信号模型; 输出功率;
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:蓝宝石衬底上的亚毫米波段AlGaN / GaN MMIC
机译:蓝宝石衬底上准毫米波段AlGaN / GaN MMIC
机译:在SiC衬底上使用AlGaN / GaN HEMT技术的X波段低噪声放大器MMIC
机译:X波段GaN MMIC逆-F PA优化负载调制
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:s.i上的微带X波段AlGaN / GaN功率放大器MMIC SiC基板
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:半导体器件和形成低压功率MOSFET的方法,使用石墨烯作为金属层,石墨烯纳米带作为硅、GAN、SIC衬底上功率垂直和横向MOSFET的沟道和漏增强区,或Diamond将窄带隙工程与宽带隙工程相结合,在电力半导体行业实现节能设备和环境进步
机译:Si衬底上的SiC晶体可实现GaN和Si电子器件的集成
机译:在SiC衬底上形成的GaN基LED
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