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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|781-785|共5页
会议地点广西北海
作者
林玲; 中国科学院研究生院; 徐安怀; 孙晓玮; 齐鸣;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
异质结双极晶体管; 直流特性; 高速固态器件; Medici软件;

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