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有弛豫缓冲层的SiGeHMOSFET材料

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利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高质量的外延片,是一种很有希望的Si/SiGe外延生长设备.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|343-347|共5页
会议地点昆明
作者
黄文韬;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
SiGe材料;

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