图形化蓝宝石基底的ICP刻蚀工艺研究

摘要

本文对一种利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制作4英寸图形化蓝宝石基底的方法进行了研究.制作过程中,选用了C轴(0001)取向的4英寸蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底.借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析.测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为3.45±0.25um,刻蚀高度/深度为1.75±0.25um,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3％以内.