功率MOSFET dv/dt对雪崩性能的影响

摘要

本文以理论分析加实验验证的方式讲述了功率MOSFET(BVDSS ＞500V) dv/dt能力对于其雪崩性能的影响,分析发现,对于功率MOSFET dv/dt设计必须合理,不论过高或是过低，都将影响其雪崩能力,甚至导致MOSFET雪崩测试失效。