一种功率MOSFET器件雪崩耐量的测试装置

摘要

本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩耐量的测试装置，包括前端的被测功率MOSFET器件及其外围测试电路以及后端的采样控制系统；测试电路包括可调直流电源、保险丝、可调电感、电压采样电阻、分压电阻和电流采样电阻，采样控制系统包括运放模块、AD模块、CPU模块、驱动模块和上位机。本发明测试装置操作安全，设备简单，成本较低，测试结果客观，能在上位机显示被测MOSFET功率器件的漏极‑源极电压和流过漏极‑源极的电流波形，同时实现高瞬间能量雪崩耐量测试，为器件性能评估提供重要的参数指标。