首页> 中国专利> 功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路和方法

功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路和方法

摘要

一种功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路,该电路包括由可调直流电源、充电开关以及储能装置构成的充电通路和由储能装置、电感以及待测功率MOSFET器件构成的测试环路,所述储能装置的正极提供电压输出信号给雪崩状态监测电路以控制雪崩状态监测电路输出第一控制信号和第二控制信号,充电开关的控制端接受雪崩状态监测电路输出的第一控制信号,待测功率MOSFET器件的栅极接受雪崩状态监测电路输出的第二控制信号。本发明操作安全,测试结果客观,成本低,由于采用独立于电源的储能装置提供能量,可以通过能量转移实现雪崩耐量测定,实现高瞬间能量雪崩耐量的测试。

著录项

  • 公开/公告号CN102419413B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州士兰微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201110230273.1

  • 发明设计人 殷资;张邵华;

    申请日2011-08-11

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构33231 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张宇娟

  • 地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

  • 入库时间 2022-08-23 09:17:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-19

    授权

    授权

  • 2012-05-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20110811

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号