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碳膜保护改善激活退火SiC表面形貌

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在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中碳膜的保护,有效的抑制了表面处Si的升华和再沉积过程,避免SiC表面形貌的退化.

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来源
《2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2013年|313-316|共4页
会议地点大连
作者
黄蓉; 李诚瞻; 王弋宇; 史晶晶; 申华军;
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作者单位

中国半导体行业协会;

中国电子科技集团公司第十三研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
碳化硅材料; 表面形貌; 激活退火; 碳膜保护层;

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