纳米电子束光刻若干工艺技术的讨论

摘要

电子束光刻系统具有很高的电子扫描成像精度,是实验室条件下进行纳米加工不可缺少的工具,在应用于微、纳米加工中需要解决几个关键技术问题:如电子束曝光邻近效应校正技术问题;电子束曝光系统与光学曝光系统的匹配和混合光刻的问题;常用电子抗蚀剂的工艺技术和电子束光刻的工艺技术问题.电子束光刻系统本身虽然可以具有极细的电子束斑(如2nm左右),但是,在电子束直写纳米量级结构图形时,尤其是直写亚20nm乃至亚10nm曝光时仍然会遇到种种困难.本报告重点讨论纳米级电子束光刻中的若干工艺技术问题,包括电子束光刻图形数据设计可制造性的问题;变剂量曝光技术的问题;线曝光技术的问题;高高宽比抗蚀剂图形坍塌-粘连的问题;绝缘衬底电子束曝光电荷积累的问题;高能电子束激发的二次电子、背散射电子、X射线及其他电磁辐射的漫散射曝光积累的问题,等等。