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高质量GaN体单晶材料的钠流法生长技术

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本文介绍了制备大尺寸高质量GaN体单晶材料的Na-flux(钠流法)技术及其近期所取得的进展.采用薄膜复合衬底诱导外延生长得到了直径4inch的GaN体单晶材料,其晶体位错密度降低至104cm-2.结合多籽晶合并拼接生长技术获得了直径111mm、厚度4mm、位错密度低至102cm-2的高质量GaN体单晶材料.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||249-250|共2页
会议地点西宁
作者
庞彦召; 刘南柳; 王琦; 张国义;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
半导体材料; 氮化镓单晶; 钠流法; 合并生长; 位错密度;

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