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低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究

     
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摘要

β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长方法.

著录项

  • 来源
    《河南科技》|2016年第13期|140-142|共3页
  • 作者

    张颖武; 练小正; 张政; 程红娟;

  • 作者单位

    中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

    中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

    中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

    中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 晶体生长工艺;
  • 关键词

    β-Ga2O3; 宽带隙; 单晶;

  • 入库时间 2023-07-24 17:51:51

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