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低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究

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摘要

β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长方法.

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来源
《河南科技》|2016年第013期|140-142|共3页
作者
张颖武; 练小正; 张政; 程红娟;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O782;
关键词
β-Ga2O3; 宽带隙; 单晶;
入库时间 2022-08-18 09:51:15

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