Na フラックス法でのGaN 結晶育成における精製ナトリウムを用いたステップバンチング抑制

摘要

GaN 系デバイスの作製には高品質なGaN 基板が必要である。これまで我々は、Na フラックス法を用いた高品質なGaN 基板の作製に取り組hできた[1]。しかし、デバイス作製プロセスにおけるホモエピタキシャル成長の際、育成温度の違いから、Na フラックス法での育成時に取り込まれたインクルージョン（フラックス）が破裂し、結晶品質の悪化を招くという問題が存在する。インクルージョンの取り込みにはステップバンチングの寄与が大きく、その抑制が課題となる。ステップバンチングの発生は、育成環境中の不純物に起因すると知られているから、今回、Na フラックス法で用いるNa の精製に取り組hだ。本研究では、精製したNa 及び未精製のNa を用いてGaN 結晶を作製し、Na の精製によるステップバンチングの抑制効果を検証した。