具有阶梯变掺杂缓冲层的SiC光触发晶闸管

摘要

本文提出一种用于具有n-长基区的SiC光触发晶闸管的阶梯变掺杂缓冲层结构,通过理论分析与数值仿真的方法对具有阶梯变掺杂缓冲层的20kV4H-SiC光触发晶闸管进行了研究.仿真结果显示,阶梯变掺杂缓冲层中存在的感生电场对空穴的输运起到增强的作用,促进了SiC光触发晶闸管内部正反馈机制的快速形成,导致采用阶梯变掺杂缓冲结构的SiC光触发晶闸管开通延迟时间得到缩短.当阶梯变掺杂缓冲层中杂质浓度梯度为1.663×1016cm-3时,SiC光触发晶闸管的开通延迟时间从常规结构的8.58μs缩短至7.69μs,降幅达10.4%.阶梯变掺杂缓冲结构应用于具有n-长基区的SiC光触发晶闸管中,能有效改善SiC光触发晶闸管p+-n发射结注入效率低所造成的开通延迟时间大的问题.