机译:通过钙和镁插入缓冲层-SiC(0001)界面,独立N-掺杂的石墨烯
机译:SiC上的镁插入石墨烯:极端位移场的高度N掺杂的空气稳定双层石墨烯
机译:通过AR介导的锑嵌入的SiC(0001)上的准独立式石墨烯:朝向高蒸气压元件的嵌入途径
机译:控制4H-SiC(0001)上外延石墨烯的厚度以及通过氢嵌入去除缓冲层
机译:调整二硼化镁纳米线中的超导性,以期在其间隙层中嵌入单层石墨烯。
机译:离轴SiC(0001)上外延三层石墨烯的高电子迁移率
机译:通过Ar介导的锑插入锑(0001)的准独立式石墨烯:高蒸气压元件嵌入的途径