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张蓓榕;
半导体器件;
机译:薄膜导体的纳米和微过程的理论与模型化以及集成电路整体金属化的耐用性。第一部分:电迁移过程中空位的传递,力学应力的产生和微腔的产生的一般理论。多级金属化的降解与破坏
机译:时效硬化参数对AlSi7Mg砂铸合金的组织和性能的影响。 Alsi7mg合金的制备与性能
机译:AlSi /小于1%/窄互连中的几何诱导电迁移降解
机译:用于ULSI应用的IC金属化系统和铜金属化中电迁移故障的建模和表征。
机译:锡在镍和铜金属化过程中表面扩散扩散引起电迁移的新机理
机译:P190 BCR-ABL在慢性粒细胞白血病中作为复发参数的作用P190 BCR-ABL在慢性粒细胞白血病中作为复发参数的作用
机译:具有线宽的铝电迁移寿命变化:应力条件变化的影响(集成电路的金属化)
机译:测定液体中电迁移下杂质的质量转移参数的方法
机译:射频活性金属化钛,钨和金的微电路连接的抗电迁移金属化结构
机译:测定金属化浴参数的方法和装置
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