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用于与射频反应溅射的钛-钨和金微电路互连的抗电迁移的金属化结构

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摘要

描述了用于微电路互连的两类金属化方案PtSi/TiW/TiW(N)/Au(第一类)和PtSi/TiW/TiW(N)/TiW/Au(第二类)及相关工艺，该金属化方案及工艺可应用到与小至1.5μm或更小金属间距互连的集成电路中，对于持续高温和大电流工作条件，该金属化方案是可靠的。

著录项

  • 公开/公告号CN1125999A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1996-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾利森电话股份有限公司;

    申请/专利号CN95190256.3

  • 发明设计人 S·-H·洪;

    申请日1995-02-14

  • 分类号H01L23/532;H01L21/768;C23C14/34;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正;张志醒

  • 地址 瑞典斯德哥尔摩

  • 入库时间 2023-12-17 12:39:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-08

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L23/48 授权公告日:20030618 期满终止日期:20150214 申请日:19950214

    专利权的终止

  • 2004-10-06

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20040827 申请日:19950214

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2003-06-18

    授权

    授权

  • 1997-03-05

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1996-07-03

    公开

    公开

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