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周胜涛;
中国电子学会;
模拟;
机译:适用于深亚十分之一微米时代的超薄体SOI MOSFET
机译:四分之一微米SOI MOSFET的双极FET混合模式操作(MESFET读取MOSFET)
机译:基于分析性表面电势模型的DMG SOI MOSFET小信号分析和RF性能表征,以实现更好的RFIC应用
机译:在超过10 GHz的高频状态下,体和SOI深亚微米MOSFET小信号行为的比较
机译:亚微米SOI和体MOSFET器件的物理建模和表征。
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:深 ud纽结效应的非线性建模亚微米SOI MOSFET
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:制备粒径为0.02微米至0.15微米的Fe2O3粉末的方法
机译:深四分之一微米LDD MOSFET器件的硅化方法
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