脉冲应力下栅介质膜的TDDB特性

摘要

根据陷阱电荷在电应力作用下增加及撤除应力后减少的规律，我们提出了解释直流应力下ＴＤＤＢ寿命差别的模型，并用自行研制的脉冲应力ＴＤＤＢ寿命测试系统，对样品在脉冲电压与直流电压下的ＴＤＤＢ寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅氧化层ＴＤＤＢ寿命增加，实验结果与模型预期的结果相符合。