介质膜层的应力检测方法及应力检测系统

摘要

本发明提供一种介质膜层的应力检测方法，其特征在于，所述应力检测方法包括：在至少一片晶片上沉积形成初始参考有机膜；对形成有所述初始参考有机膜的晶片进行预热处理，获得最终参考有机膜；检测所述最终参考有机膜的第一曲率半径；在所述最终参考有机膜上形成所述介质膜层；测量形成有所述介质膜层的最终参考有机膜层的第二曲率半径；根据同一个晶片上的测得的所述第一曲率半径和所述第二曲率半径计算反应该晶片上的介质膜层的应力的参数。本发明还提供一种介质膜层的应力检测系统。利用所述应力检测方法可以精确地检测介质膜层的应力。