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中国电子学会;
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机译:GaAs-AlGaAs和InGaAs-AlInAs量子级联激光器的性能比较
机译:利用GaAs HEMT和InP HBT技术的单片W波段单平衡混频器的性能比较
机译:使用0.15μmgaas hemt技术的wimax下变频器吉尔伯特单元混频器。
机译:变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究
机译:新型20至40 GHz单片InGaP / GaAs HBT双平衡混频器
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。
机译:镜片性能比较装置,镜片性能比较系统和镜片性能比较方法
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机译:使用脉冲掺杂的GAAS MESFET的混频器电路
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