Φ125mmSiH<,2>Cl<,2>外延工艺的研究

摘要

高性能的模拟集成电路需要高质量的外延片，该文研究了在Φ１２５ｍｍ硅初底片上，使用ＳｉＨ〈，２〉Ｃｌ〈，２〉进行外延的工艺技术。重要解决了外延层均匀性问题，该 项技术已成功地应用于公司的彩电单片机及大屏幕彩电用集成电路的生产中。