等离子刻蚀过程中的微弱信号提取与终点监测

摘要

在用等离子发射光谱技术监测大规模集成电路等离子该蚀过程及终点时，为了有效的抑制该底光对监测结果的影响，作者采用了双波长法和具有采样跟踪滤波器的锁相技术，从强光背景中提取了反映等离子蚀过程的微弱等离子谱信号，利用该信号本身的特征并采用数值商法实现了刻蚀终点监测，获得了优于８０×１０〈’－１０〉ｍ（Ａ）的动态监测精度和小于０．３ｃｍ〈’２〉的最小监测面积。