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【2h】

Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products

机译：硅等离子刻蚀过程中的两种表面粗糙处理模式：电离刻蚀产物的作用

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Nakazaki Nobuya; Tsuda Hirotaka; Takao Yoshinori; Eriguchi Koji; Ono Kouichi;
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年度 2014
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1. Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products [J] . Nakazaki Nobuya, Tsuda Hirotaka, Takao Yoshinori, Journal of Applied Physics . 2014,第22期

机译：硅等离子刻蚀过程中的两种表面粗糙处理模式：电离刻蚀产物的作用
2. Two modes of surface roughening during plasma etching of silicon: Role of ionized etch products [J] . Nobuya Nakazaki, Hirotaka Tsuda, Yoshinori Takao, Journal of Applied Physics . 2014,第22期

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3. Influence of reactor walls on plasma chemistry and on silicon etch product densities during silicon etching in halogen-based plasmas [J] . Cunge G, Kogelsehatz M, Sadeghi N Plasma Sources Science & Technology . 2004,第3期

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4. 3-Dimensional Modeling and Simulation of Surface Roughening under Plasma Etching [C] . Wei Guo, Hiroyo Kawai, Herbert H. Sawin American Institute of Chemical Engineers Annual Meeting . 2008

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