隧道氧化层的击穿特性研究

摘要

本文在测试分析N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底-隧道氧化层-多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I-V特性、I-t特性、V-t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。