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周治平;
中国科学技术协会;
电子海图;
机译:ALD-TiO2 / SION / N-SI栅极堆栈的结构和电气特性用于高级CMOS器件应用
机译:基于HFO_2的栅极堆栈的正偏置温度不稳定性,减少了CMOS技术的热预算
机译:用于CMOS应用的解决方案路线的可调谐带对准和介电常数,制造了Al / HFO_2 / SI栅极堆栈
机译:具有单轴应变硅的45nm节点高性能30nm cmos的新型堆栈 - SIN栅极电介质
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:CMOS兼容的新型集成解决方案可使用基于相变材料的异质结构进行大范围可调光检测
机译:集成了高k介电层和金属栅极的新型III-V MOSFET,适用于未来的CMOS技术
机译:激光退火金属栅极sOI CmOs场效应晶体管的直流和射频特性
机译:CMOS器件的高k金属栅极堆栈和结构中的阈值电压控制
机译:用预掺杂的半导体栅极材料制备CMOS栅极结构的方法
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