ＥＢ和光学混合光刻工艺技术

摘要

论述了在同一衬底基片分别采用ＥＢ直写微经图形（深亚微米或纳米级图形）和光学光刻粗线条图形（几微米或几十微米的图形）的混合光刻工艺技术，以期达到提高ＥＢ在直写圆片中的生产效率，并以０．４μｍ栅条的ＧａＡｓ器件为例做了混合光刻的工艺实验，获得了良好的实验结果，提出了在混合光刻技术中对ＥＢ设备选择的判式。